サンケン電気は、GaNやSiCを利用したパワー素子を試作し、「テクノフロンティア2013」(2013年7月17~19日、東京ビックサイト)に出展した(図1)。GaNの方は、GaNパワー・トランジスタとドライバICを同一パッケージに収めたものを開発。同トランジスタとドライバICは別チップである。外形寸法が8mm×8mm×0.85mmのQFNパッケージに封止する。耐圧は600Vで、10A品と20A品の2種類がある。2013年度の量産を目指す(図2)。

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