米GeneSiC Semicondutor社は、耐圧が約10kVと高いSiC BJT(バイポーラ・トランジスタ)を開発し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:6-1)。チップ・サイズが3.65mm角と7.3mm角の2種類を作成した。前者は、オン抵抗が110mΩcm2で電流増幅率は78、後者は同143mΩcm2で同75である。

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