東芝は、19nm世代プロセスで製造した128GビットNANDフラッシュ・メモリを集積した300mmウエハーを、「nano tech 2013(第12回 国際ナノテクノロジー総合展)」(東京ビッグサイト)に出展した。量産品としては業界最先端のプロセス技術を適用するとともに、3ビット/セル(triple level cell:TLC)の多値化技術を導入した。

ここからは会員の登録が必要です。