米Everspin Technologies社は、「IEDM 2012」において同社が2012年11月にサンプル出荷を始めた64Mビットのスピン注入磁化反転型MRAM(STT-MRAM)のチップ特性を紹介した(論文番号29.3)。エラーなく書き換え/読み出しを実行できることや、書き換え電圧とブレークダウン電圧を30σものマージンで分離できていることなど、動作信頼性の高さをアピールした。

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