米Intel社は、22nm世代のFinFET(トライゲート)技術を用いたモバイル機器向けSoC(system on a chip)技術を開発した(論文番号3.1)。SoCを構成する高速ロジック/低電力ロジック/高電圧回路向けにそれぞれ特性を合わせこんだ複数種類のFinFETを、同一チップ上に集積できるようにしている。加えて、ゲート・スタック構造の最適化などにより、高い動作速度と低いリーク電流を両立した。低電力ロジック向けFinFET技術を用いて作製した380MビットSRAMは、電源電圧1Vでの最大動作周波数が2.6GHz。メモリ・セル当たりの待機時リーク電流は、32nm世代の低電力ロジック向けプレーナFET技術の約1/5に当たる10pAである。

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