超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、NANDフラッシュ・メモリ並みに大容量なPRAM(相変化メモリ)の実現につながる記憶素子技術を開発した(論文番号31.4)。データセンターなどで使われるSSDの記憶媒体をNANDフラッシュ・メモリからPRAMに置き換えることで、SSDを高速・低電力化することを狙う。

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