「ISSCC 2013」のメモリ分野では、前回に引き続いて微細化と大容量化が一層進む。特に、新型不揮発性RAMの有力候補の一つであるReRAM(抵抗変化型メモリ)の大容量化が目覚ましい。DRAMインタフェースでも、高速化技術の提案が相次ぐ。

ここからは会員の登録が必要です。