GaNパワー・トランジスタが遂に実用化段階に入った。これを使えば、電源の変換効率を高めると同時に、外形寸法を小さくできる。このメリット
は極めて大きい。ただし、得られるのはメリットばかりではない。デメリットもある。それは、既存のSiパワーMOSFETと比較すると、電源回路設計の難易度が格段に高まってしまうことである。設計を誤れば、高いレベルの電磁雑音(EMI)が放射されたり、電力損失が増えたり、最悪の場合はGaNパワー・トランジスタ自体が破壊されてしまう。

しかし、過度に恐れる必要はない。GaNパワー・トランジスタの特徴を把握し、それにふさわしい方法や手順で設計すれば大丈夫だ。その方法と手順とは、どのようなものなのか。以下で詳しく説明していく。

資料:電源にGaNパワー素子の適用始まる